三菱电机带来了第四代DIP-IPM(双列直插型智能功率模块)、第五代智能功率模块L1系列IPM以及多种系列的第五代IGBT模块。2004年以来，三菱电机的DIP-IPM模块开发致力于小型化、低热阻化以及完全无铅化，并已开发出第四代DIP-IPM产品。如今，为提高DIP-IPM的性价比，三菱电机还增加了搭载RC-IGBT硅片的额定电流为3A的DIP-IPM，从而使第四代DIP-IPM系列产品更加丰富，为白色家电等变频基板的小型化做出贡献。三菱电机还展示了新推出第五代L1系列IPM，其将硅片温度传感器设置在IGBT硅片正中央处，实现了更加精确迅速的硅片温度检测。该系列IPM采用全栅型专利的CSTBT(载流子存储式沟槽型双极晶体管)硅片技术，具有比L系列IPM更低的损耗，以及优化的VCE与Eoff折衷曲线。此外，L1系列IPM还首次开发了25A/1200V和50A/600V的小封装产品以满足客户节约成本的需求。刚刚开始量产的智能功率模块CiPoS系列打造了IPM新封装概念，这是由于功率器件使用DCB(陶瓷基覆铜板)，控制电路采用PCB(印制电路板)，便于实现定制功能。内部具有可靠的电气隔离，散热效果良好。对DCB作注模封装，提高了可靠性。可以为将来集成单片机做准备，同时可以集成更多器件做定制模块。内置PCB，令引脚位置及功能定义灵活。除了电磁炉用IGBT外，Infineon还展示了IGBT驱动芯片—采用专利技术EiceDRIVER的1ED020I12-F，它是一款单路门极驱动IC，具有1200V隔离电压，使用无核变压器(CLT)技术，可驱动达100A的IGBT/MOSFET。